近日，大连理工大学副教授李晓干与佐治亚理工大学博士邹海洋等，在宽带光探测器研究上获进展。相关成果发表于《先进材料》。

　　宽带光探测器是一种能将较大范围不同波长的光信号转变为电信号的电子器件，有着广泛应用。硅在半导体行业占据重要地位，但其对900纳米以上的近红外光吸收不强，极大地限制了硅在宽带光探测器方面的应用。

　　研究团队在硅和氧化锌纳米线两种半导体材料构成的光探测器上，设计了特殊的金针菇云状的薄膜电极层，该结构极大提高硅对近红外光的吸收。通过施加外应力作用在氧化锌纳米线上，在界面产生极化作用，提高光探测性能，其性能在近紫外442纳米的波段光响应提高78%，在近红外区域1060纳米的波段光响应提高了20%左右，同时其测量极限和线性关系也得到了很大提高。